器件具有37.8A的连续漏极电流，导通电阻低至8.4mΩ，采用小尺寸PowerPAK® SC-70封装
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK® SC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm x 2mm塑料封装的30V器件。
今天发布的MOSFET是目前尺寸最小的30V产品之一，比PowerPAK 1212封装的器件小60%，在笔记本电脑、平板电脑、VR头盔和DC-DC砖式电源，无线充电器中的H桥，以及无人机的电机驱动控制中，可用于DC/DC转换和电池管理的负载切换。
SiA468DJ在10V和4.5V下具有8.4mΩ和11.4mΩ的极低导通电阻，在这些应用中能减小传导损耗，提高效率。其导通电阻比前一代产品低51%，比最接近的竞争产品低6%。另外，MOSFET的优值系数 (FOM) 针对各种功率转换拓扑进行了优化。
SiA468DJ的连续漏极电流高达37.8A，比前一代器件高68%，比最接近的竞争产品高50%。高漏极电流为会碰到高瞬变电流的应用产品提供了足够的安全余量。MOSFET进行了100%的RG测试，符合RoHS，无卤素。
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。
