4月26日，我国首个碳化硅（SiC）新型充电桩示范工程在“碳化硅新型充电桩示范工程启动暨技术与应用研讨会”上启动，标志着我国碳化硅新型充电桩迈出了实际应用的第一步。
本次会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，北京华商三优新能源技术有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司承办。
来自政府及企业代表共约100多人出席了本次会议。科技部原副部长曹健林，科技部高新技术中心材料处史冬梅处长，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲吴玲在会上致词，浙江大学盛况教授就国家重点研发计划“战略性先进电子材料”专项中“中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范”项目的进展进行了汇报。
出席会议的政府领导及产业链关键企业高层代表共同启动了以北京为起点面向全国推广的“四城一会”碳化硅充电桩示范工程。为了促进碳化硅充电桩的市场推广及规范应用，第三代半导体产业技术创新战略联盟在会上与中关村普天新能源物流汽车产业技术联盟、中国可再生能源学会共同签署了战略合作协议，在技术研发、标准制定、推广应用等方面将展开深入合作。
之后参会人员一起考察了由北京华商三优新能源科技有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司等单位共同在通州马驹桥充电场站开展的大功率碳化硅器件新型充电桩示范工程。目前，充电桩运行效果良好，电能转化效率高达96%，大大提高了充电效率与充电时间。
据会议介绍，第三代半导体是满足"创新驱动发展"国家战略需求、实现绿色、低碳、智能和可持续发展、抢占未来产业发展制高点、支撑国民经济可持续发展不可或缺的先进电子材料，也是全球战略竞争新的制高点。我国政府正在积极推进，加快发展。未来3-5年是第三代半导体技术发展及应用推进的关键时期，为了抢占技术和产业制高点，科技部在“十三五”国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项中系统地布局了相关项目，2016年7月在国家科技部高技术研究发展中心的指导及联盟的支持下，由北京华商三优新能源技术有限公司牵头的国家重点计划项目“中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范”正式启动，这对提升我国核心竞争力与支撑节能减排战略具有重要意义。
据了解，北京市科委早在2012年就开始通过科技项目的方式对第三代半导体材料进行了布局，通过创新引领实现了核心技术突破，初步形成了从碳化硅材料、器件、封装到应用的全产业链条，4英寸碳化硅衬底材料批量生产，成为国内两大生产基地之一，并在国内率先实现了碳化硅功率器件的产业化和示范应用。在科委的支持下，泰科天润半导体科技（北京）有限公司联合中国科学院半导体研究所成功研制出了1200V SiC MOSFET功率器件并实现小批量化生产，掌握了SiC MOSFET器件的设计、关键工艺和制造等全套技术，成为国际上少数几个能提供SiC MOSFET器件的公司之一，为推动第三代半导体材料、器件产业发展，打破国外技术垄断奠定了良好基础。同时在体制机制创新方面，为更好的支撑全国科技创新中心建设，对接国家重大项目，北京市科委联合顺义区政府及联盟，共同建设第三代半导体材料及应用联合创新基地，快速推进产业链构建和产业创新生态环境培育。
